2021-05-13 10:01:45
生产集成电路(IC)器件的一个初始步骤是在抛光的硅晶片上产生一个外延层，镶在一个称为感应器的六面柱体上(每面有两块晶片)，这个六面柱体在一个钟形容器里旋转，这个容器通过其顶部的喷咀喷入化学蒸汽并加热。这个过程持续到外延层生长到所要求的厚度，厚度的目标值14.5微米(um)，其误差范围为14.5土0.5微米，即实际的厚度应该尽可能接近14.5，并在区间[14,15]内。当前的设置造成的偏差超过了指定的1.0微米，于是试验人员需要找出可以设置的过程因子使得外延层的不均匀性达到最小，同时确保平均厚度尽可能接近目
2021-05-13 09:10:06
在集成电路的许多生产步骤中，晶片被一层材料(如二氧化硅或某种金属）完全覆盖。通过对掩模的蚀刻有选择性地除去不需要的材料，从而创建电路模板、电互连以及必须扩散的或者金属沉积的区域。等离子蚀刻工序在这个操作中被广泛使用，特别是在几何对象比较小的情况下的应用。下图展示了一种典型的单晶片蚀刻设备的重要特征。特此说明：案例来自蒙哥马利的《实验设计与分析》一书。
2021-03-02 17:35:52
厚壁塑料产品成型过程中，最大的挑战之一就是尺寸精度问题。本项目中汽车零件─塑料钩(图一)在第一次试模时出现翘曲；即使调整了制程参数，翘曲问题仍然存在。斯洛伐克科技大学材料科学与技术学院(MTF STU)使用Moldex3D研究翘曲的起因，并寻找可行的解决方案。最后根据Moldex3D的翘曲分析结果，优化模具设计，成功解决翘曲问题，避免不必要的重工。
